10 / 21 2019
News: Symposium on high power GaN and SiC Taiwan 2019

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2019功率半導體材料國際研討會圓滿成功,由中科院組長張國仁博士(左起)、台經院...

 

 

2019功率半導體材料國際研討會圓滿成功,由中科院組長張國仁博士(左起)、台經院綠能與科技發展研究中心主任林若蓁博士、清華大學電機系黃智方教授、中科院翁炳國副所長、EPC應用工程副總裁Michael de Rooij 、全訊科技張全生總經理、稜研科技蔡文才研發處長、聯鈞光電新竹分公司林昆泉總經理、Cree/Wolfspeed FAE資深經理Tony Liu參加與會。 台灣經濟研究院/提供

 

國家中山科學研究院和台灣經濟研究院所共同舉辦之「2019 高功率半導體 材料(氮化鎵&碳化矽)與元件論壇」,於 10 月 17 日在台大集思會議中心蘇格 拉底廳盛大舉行。邀請國內外重量級功率半導體產學機構專家,包括 Cree, Inc / Wolfspeed、Efficient Power Conversion Corporation (EPC)、全訊科技股份有限公司、聯鈞光電股份有限公司竹科分公司、稜研科技股份有限公司及清華大學電機 系等進行專題演講,與國內產學研各界分享及交流。

 

此次國際研討會現場逾百間國內產、學、研單位與專家參與其中。現場亦有包括Picosun、新銳先進材料、艾德康科技、奇裕企業、凱勒斯科技、越峰電子、新加坡商先創亞洲科技、翹慧、瀚薪科技、EPC等,進行技術之海報說明與展示。

 
 
全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元 件製造技術,由於矽(Si)材料已接近其理論上的性能極限,具寬能隙(Wide Band Gap; WBG)特性之功率半導體材料及元件技術,已然為次世代功率電子產品及應 用重要平台。同時,隨著近年各國如火如荼推動 5G 技術的發展與普及,加上物聯網、互聯網、電動車等新興科技的崛起,高頻元件部分需求也日益上升。為此, 國家中山科學研究院執行政府晶片及半導體產業科技研發專案,進行高功率模組 應用之功率半導體材料及元件製造等技術開發,並持續推動高功率應用元件研發 聯盟的發展,期望透過本次國際論壇,促進國內相關產業進行技術與經驗的交流, 加速上下游廠商結盟合作,加速我國半導體產業立足台灣,放眼國際。

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